Script: /index.php?ID=256
Query: INSERT INTO counter_05 VALUES(0,'2001224','2017-05-25','107.22.26.172','lkgn1a7uvv7f9rqn0gpq57ede1')
Error number: 1062
Error description: Duplicate entry '943181' for key 'PRIMARY'
Chemické nanášanie z pár - CVD
HomePrint version English version

Chemické nanášanie z pár - CVD


CVD (chemical vapour deposition) – chemické nanášanie z pár je proces, pri ktorom z prchavých zlúčenín príslušných prvkov (tzv. prekurzorov) dochádza chemickou reakciou k tvorbe neprchavých tuhých produktov so zložením zodpovedajúcim požadovanému materiálu. Chemická reakcia prebieha na vhodne umiestnenej podložke, na povrchu ktorej sa deponujú tuhé produkty reakcie, a tým dochádza k rastu tenkej vrstvy žiadaného materiálu.


MOCVD (metal-organic chemical vapour deposition)
– chemické nanášanie z pár organokovových zlúčenín, kde prekurzor obsahuje atóm kovu viazaný na organické ligandy. Do tejto skupiny látok patria napr. alkoxidy, diketonáty alebo amidy.

CVD1



Schéma depozície vrstvy technológiou CVD:
1 – prúdenie pár prekurzora do reaktora
2 – difúzia molekúl cez hraničnú vrstvu
3 – povrchové procesy: adsorpcia, nukleácia, chemická reakcia, desorpcia
4 – odstránenie vedľajších produktov reakcie

ALD (atomic layer deposition) – modifikácia CVD, pri ktorej je rast vrstvy rozložený do štyroch krokov:
• nanesenie vrstvy prekurzora na podložku bez jeho rozkladu (chemisorpcia)
• odstránenie prebytočného prekurzora premývaním reaktora inertným plynom
• rozklad prekurzora pôsobením reakčného plynu, chemická reakcia s následným rastom vrstvy
• odstránenie vedľajších produktov reakcie a zvyškov reakčného plynu premývaním reaktora inertným plynom

ald

Schéma depozície vrstvy technológiou ALD 

Rast vrstvy technológiou ALD

    Podstatnou črtou ALD je, že nanesenie vrstvy bez rozkladu prekurzora je samo-limitované chemisorpciou, takže opakovaním sekvencie týchto krokov sa dá dosiahnuť kontrolovaný rast veľmi tenkých vrstiev s hrúbkou niekoľko nm.
Na neplanárnych podložkách, t.j. na podložkách obsahujúcich dierky a drážky mikrometrových, prípadne  submikrometrových rozmerov je možné dosiahnuť metódou ALD rovnomerný rast vrstvy aj na stenách týchto útvarov.

ald_ru

Tenká vrstva ruténia nanesená na neplanárnej podložke technológiou ALD

 Použitie CVD:

• mikroelektronické a optoelektronické zariadenia
• ochranné povrchové vrstvy
• optické povrchové vrstvy
• dekoratívne povrchové vrstvy

Nanášané materiály:

Široká škála – kovy, oxidy, nitridy, karbidy, silicidy a mnohé ďalšie. V závislosti od podmienok nanášania je možné pripraviť amorfné, polykryštalické alebo epitaxné vrstvy.

Literatúra:
M. Ritala, M. Leskelä, Handbook of Thin Film Materials (Ed: H. S. Nalwa), Vol. 1, Academic Press, San Diego, CA 2001

Zem   Vlajka EU   Vlajka SR

 

 

 


Autor: Hušeková K., Elektrotechnický ústav SAV