Script: /index.php?ID=262
Query: INSERT INTO counter_05 VALUES(0,'2001559','2017-05-25','54.198.118.102','uec33n7vp3vehcstgel5a153i4')
Error number: 1062
Error description: Duplicate entry '943181' for key 'PRIMARY'
Elektrické merania štruktúr Kov-Oxid-Polovodič (MOS – Metal-Oxide-Semiconductor)
HomePrint version English version

Elektrické merania štruktúr Kov-Oxid-Polovodič (MOS – Metal-Oxide-Semiconductor)


   Funkčnosť poľom riadených tranzistorov (FET) využívajúcich hradlovú štruktúru kov-oxid-polovodič (MOS) na moduláciu vodivosti kanála je založená na kvalitnej technológii rastu tak tenkej oxidovej vrstvy na polovodiči ako aj kovového hradla.
Elektrické meranie kapacitno-napäťových závislostí (C-V kriviek) prúdovo-napäťových závislostí meraných pri rôznych teplotách (IV-T kriviek) na štruktúrach MOS predstavuje extrémne citlivý diagnostický nástroj technológie MOS na určenie kvality polovodiča, oxidovej vrstvy, kovu ako aj ich vzájomných rozhraní z hľadiska výsledných elektrických vlastností MOS poľom riadeného tranzistora (MOSFET).
Merania sa realizujú na samostatných štruktúrach MOS, na testovacích štruktúrach integrovaných na Si doske alebo na hotových MOSFET-och.

Odporúčaná literatúra:
1. Nicollian, E.H. and Brews, J.R.: MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology. New York: Wiley, 1982.
2. Schroder, D.K.: Semiconductor Material and Device characterization. New York: Wiley, 1980.
3. Sze, S.M.: Physics of semiconductor devices. New York: Wiley, 1969.
4. Houssa M. (ed.): High-κ gate dielectrics. Bristol: IOP Publishing, 2004.
5. Yang B.L., Lai P.T., and Wong H.: Conduction mechanisms in MOS gate dielectric films. Microelectron. Reliab. 44 (2004) 709.



Autor: Ťapajna M., Elektrotechnický ústav SAV