Script: /index.php?ID=658
Query: INSERT INTO counter_05 VALUES(0,'2077091','2017-08-18','23.20.103.97','3m4eb26rpafr4djoq1sgtqnem5')
Error number: 1062
Error description: Duplicate entry '943181' for key 'PRIMARY'
Rastrovací elektrónový mikroskop (REM), elektrónová litografia.
HomePrint version English version

Rastrovací elektrónový mikroskop (REM), elektrónová litografia.


     Výhodou REM je jednoduchá príprava vzoriek a využitie širokého spektra signálov získaných pri interakcii elektrónového zväzku so vzorkou, čo umožňuje obsiahlu charakterizáciu skúmaného materiálu.
Sú to sekundárne elektróny, odrazené elektróny, RTG žiarenie, Auge-elektróny, fotóny rôznych energií, absorbované elektróny.

Príklad: Zobrazenie v odrazených elektrónoch  - prednostne vzniká kontrast, ktorý závisí od atómového čísla prvku (obr. 1, obr. 2).

o1        o2        

                  Obr. 1 výbrus minerálu                       Obr. 2 výbrus minerálu

     Metóda EBIC  (Electron Beam Induced Current) umožňuje analýzu p-n prechodov, zobrazenie štrukturálnych  nehomogenít, dislokácií, defektov, nehomogenít dopovaného materiálu v polovodičoch.

Príklad: Zistenie štrukturálnych  nehomogenít v detektore ionizujúceho žiarenia a nabitých častíc (obr. 3, obr. 4).

    o3    04

  Obr. 3 GaAs detektor ionizujúceho žiarenia    Obr. 4 InP detektor ionizujúceho žiarenia

     Elektrónová litografia (E-Beam Lithography). Základom metódy je pôsobenie riadeného elektrónového zväzku na rezist.
Elektróny lokálne menia vlastnosti rezistu, vyvolaním selektívne sa odstraňujú exponované miesta, vzniká topografický obrazec, ktorý slúži ako maska pre rôzne technologické postupy, napríklad pre leptanie štruktúr, vytváranie štruktúr lift-off technikou, implantáciu atď.

Na obr. 5 je zobrazená PMMA maska vytvorená elektrónovou litografiou v REM BS-340.
Na obr. 6 je vidieť štruktúru odleptanú zväzkom iónov cez PMMA masku.
Na obr. 7 je znázornená ukážka lift-off techniky. Vypracovaná originálna technika súkrytovania, ktorá umožňuje viacúrovňové technologické kroky (obr. 8).

     o5     o6

Obr. 5 ukážka e-beam litografie v reziste PMMA  Obr. 6 štruktúra odleptaná iónovým zväzkom.

    o7     o8

Obr. 7 Ag pásiky (šírka 0,2 μm) vytvorené        Obr. 8 Dvojstupňová litografia. Nb krúžky
lift-off technikou                                                  umiestnené na Hallových sondách

Výhody elektrónovej litografie používanej v REM:

 


Autor: Šmatko V., Elektrotechnický ústav SAV